Транзисторы

(Lead (Pb)-free) Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости P Максимальное напряжение сток-исток, В 80 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 28 Емкость, пФ 4700 Заряд затвора, нКл 160 Описание P-Channel 80 V 28A (Tc) 5.2W (Ta), 83.3W (Tc) Surface Mount PowerPAK SO-8 Напряжение пороговое затвора (Vgs th)- 3 В Диапазон рабочих температур -55+150 С Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Вес брутто 0.15 Транспортная упаковка: размер/кол-во 62*40*43/400 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус PowerPAKSO-8 (Lead (Pb)-free) Упаковка 3000 MSL(Уровень чувствительности к влажности) 1 <<

(Lead (Pb)-free and Halogen-free) Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости P Максимальное напряжение сток-исток, В 80 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 28 Емкость, пФ 4700 Заряд затвора, нКл 160 Описание P-Channel 80 V 28A (Tc) 5.2W (Ta), 83.3W (Tc) Surface Mount PowerPAK SO-8 Напряжение пороговое затвора (Vgs th)- 3 В Диапазон рабочих температур -55+150 С Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Вес брутто 0.15 Транспортная упаковка: размер/кол-во 56*46*36/400 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус PowerPAKSO-8 (Lead (Pb)-free and Halogen-free) Упаковка 3000 MSL(Уровень чувствительности к влажности) 1 <<

регулируемое.
Выходной ток: до 2 А.
Частота переключения: 100 кГц – 2 МГц.
Точность: +-1% при –40 °C до +125 °C.
Эффективность: до 98%.
Ток отключения: 4 мкА.
Рабочий ток: 100 мкА.
Ограничение тока: 100%, 75%, 50%. <<

температуре корпуса), 32,8 A (25 °C).
Импульсный ток: до 200 A.
RDS(on): 2,4–3,4 мОм.
VGS(th): максимум 3,4 В (250 мкА).
VGS: +-20 В.
Qg: 105 нКл (VGS = 10 В).
Рассеиваемая мощность: 125 Вт (корпус), 6,25 Вт (25 °C).
Рабочая температура: –55 °C… +150 °C.
Корпус: PowerPAK SO-8DC. <<