Управление питанием

SOIC-16 Микросхемы питания Тип Сборка составных транзисторов Дарлингтона серии ULN2003AI Максимальный ток коллектора постоянный - 0,5 А Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) max - 50 В Характеристика транзисторы биполярные кремниевые n-p-n структуры В Особенности для работы непосредственно с КМОП - устройствами с напряжением питания 615 В Диапазон рабочих температур -40+105 С Конфигурация массив - 7 составных транзисторов Описание ULN200x, ULQ200x High-Voltage, High-Current Darlington Transistor Arrays Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOP-16 Упаковка REEL,2500 шт. MSL(Уровень чувствительности к влажности) 1 Вес брутто 0.32 Транспортная упаковка: размер/кол-во 58*46*49/10000 <<

Линейный стабилизатор напряжения Полярность положительная Входное напряжение 1135 В Выходное напряжение 9 0,35 В Выходной ток 1 А Потребляемый ток 8 мА Диапазон рабочих температур 0+150 С Падение напряжения, В 2 PSRR 70 дБ Транспортная упаковка: размер/кол-во 57*46*18/3000 Вес брутто 2.78 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220 Упаковка TUBE, 50 шт. <<

TI,STM)
VREF SHUNT ADJ 8SOIC <<

Выходной ток 30 мА Диапазон рабочих температур -55+150 С Напряжение питания 45 В Описание LED Lighting Drivers SOD 123 30mA 10% CCR Частота 1 МГц Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOD-123 Упаковка REEL, 3000 шт. Вес брутто 0.04 Транспортная упаковка: размер/кол-во 58*46*46/6000 <<

мA, корпус SOT-223-4 Микросхемы питания Тип Стабилизатор напряжения серии LM1117 Входное напряжение 15 (max) В Выходное напряжение 3,3 , полярность - положительная В Потребляемый ток 5 мА Максимальный ток 800 мА Характеристика падение напряжения при Iнаг.: 100 мА - 1,3 В, 500 мА - 1.35 В, 800 мА - 1,4 В Диапазон рабочих температур -40+125 С Входной ток смещения (Ib) - 5 мА Точность регулирования напряжения - 1 % Отклонение нестабильность выходного напряжения 1 мВ Ток покоя, не более 5 мА Нестабильность выходного напряжения или тока - 0,04, выходной нагрузки - 0,2 % Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOT-223 Упаковка REEL, 2000 шт. MSL(Уровень чувствительности к влажности) 1 Высота 1,8 max мм Ширина ~6,5 мм Вес брутто 0.37 Транспортная упаковка: размер/кол-во 58*46*46/6000 <<

MOSFET-транзистор с лавинной мощностью 800 В. Данный компонент используется для создания компактных неизолированных импульсных источников питания малой мощности с периферийными компонентами.
Выходное напряжение регулируется с помощью резистора. PN8015 оснащён встроенным модулем высоковольтного запуска 800 В и автономного питания, что обеспечивает быстрый запуск системы, сверхнизкий режим ожидания и функции автономного питания.
Интегральная схема PN8015 обладает полным набором интеллектуальных функций защиты, включая защиту от перегрузки, пониженного напряжения и перегрева. Кроме того, технология низкочастотной модуляции PN8015 способствует улучшению характеристик электромагнитных помех. <<

Он идеально подходит для изолированных приложений, где важна гальваническая развязка. SN6501 активирует низкопрофильный трансформатор с центральным выводом первичной обмотки от источников питания 3.3 В или 5 В. Вторичную обмотку можно настроить на любое изолированное напряжение, меняя соотношение витков. <<