Управление питанием

регулируемый, корпус DIPMODULE7 Микросхемы питания Тип Преобразователь пост. тока DC-DC неизолированный серии PTN78020W Входное напряжение 736 (max), Uном=12 В Выходное напряжение регулируемое - 2,512,6 В Выходной ток канала - 6 А Мощность 90 Вт Диапазон рабочих температур -40+85 С Конфигурация 1 выход Выходная мощность 90 Вт Способ монтажа Through Hole Корпус DIPMODULE7 Упаковка TRAY, 20 шт. MSL(Уровень чувствительности к влажности) не указывается для данного типа корпуса Высота 12,55 (max) мм Ширина 22,1 мм Вес брутто 12.00 Транспортная упаковка: размер/кол-во 47*45*32/20 <<

5 В ... 12.6 В, 1.5 А, регулируемый, корпус DIPMODULE5 Микросхемы питания Тип Преобразователь пост. тока DC-DC неизолированный серии PTN78000W Входное напряжение 736 (max), Uном=12 В Выходное напряжение регулируемое - 2,512,6 В Выходной ток канала - 1,5 А Диапазон рабочих температур -40+85 С Конфигурация 1 выход Выходная мощность 22,5 Вт Способ монтажа Through Hole Корпус DIPMODULE5 Упаковка TRAY, 56 шт. MSL(Уровень чувствительности к влажности) не указывается для данного типа корпуса Высота 12,05 (max) мм Ширина 12,57 мм Вес брутто 4.29 Транспортная упаковка: размер/кол-во 57*46*36/56 <<

300кГц, корпус Through-Hole Module-5 Микросхемы питания Диапазон рабочих температур -40+85 С Конфигурация 1 выход Напряжение питания 4,518 (max) В Описание Non-Isolated PoL Module DC DC Converter 1 Output 0.9 ~ 5.5V 2.25A 4.5V - 18V Input Способ монтажа Through Hole Корпус DIPMODULE5 Упаковка TRAY, 90 шт. MSL(Уровень чувствительности к влажности) 1 Вес брутто 3.56 Транспортная упаковка: размер/кол-во 58*46*36/180 <<

MOSFET-транзистор с лавинным пробоем, рассчитанный на напряжение 800 В. Данный компонент разработан специально для использования в неизолированных импульсных источниках питания малой мощности. PN8055 обладает внутренней схемой запуска при высоком напряжении и комплексной системой интеллектуальной защиты, включая регулируемую защиту от перегрузки (OLP), защиту от пониженного напряжения (UVLO) и защиту от перегрева (OTP). Благодаря использованию частотно-импульсной модуляции, PN8055 обеспечивает отличные характеристики электромагнитных помех. <<

MOSFET-транзистор с лавинным пробоем, рассчитанный на напряжение 800 В. Данный компонент разработан специально для использования в неизолированных импульсных источниках питания малой мощности. PN8055 обладает внутренней схемой запуска при высоком напряжении и комплексной системой интеллектуальной защиты, включая регулируемую защиту от перегрузки (OLP), защиту от пониженного напряжения (UVLO) и защиту от перегрева (OTP). Благодаря использованию частотно-импульсной модуляции, PN8055 обеспечивает отличные характеристики электромагнитных помех. <<

MOSFET-транзистор с лавинной мощностью 800 В. Эта схема используется для создания компактных неизолированных импульсных источников питания малой мощности с использованием периферийных компонентов.
Выходное напряжение может быть отрегулировано с помощью резистора FB. PN8016 оснащён встроенным модулем высоковольтного запуска и автономным питанием 800 В, что обеспечивает быстрый запуск системы, сверхнизкий режим ожидания и функции автономного питания.
Чип обеспечивает полный набор интеллектуальных функций защиты, включая защиту от перегрузки, пониженного напряжения и перегрева. Кроме того, технология низкочастотной модуляции PN8016 помогает улучшить характеристики электромагнитных помех. <<

MOSFET-транзистор с лавинной мощностью 800 В. Эта схема используется для создания компактных неизолированных импульсных источников питания малой мощности с использованием периферийных компонентов.
Выходное напряжение может быть отрегулировано с помощью резистора FB. PN8016 оснащён встроенным модулем высоковольтного запуска и автономным питанием 800 В, что обеспечивает быстрый запуск системы, сверхнизкий режим ожидания и функции автономного питания.
Чип обеспечивает полный набор интеллектуальных функций защиты, включая защиту от перегрузки, пониженного напряжения и перегрева. Кроме того, технология низкочастотной модуляции PN8016 помогает улучшить характеристики электромагнитных помех. <<

MOSFET-транзистор с лавинной мощностью 800 В. Данный компонент используется для создания компактных неизолированных импульсных источников питания малой мощности с периферийными компонентами.
Выходное напряжение регулируется с помощью резистора. PN8015 оснащён встроенным модулем высоковольтного запуска 800 В и автономного питания, что обеспечивает быстрый запуск системы, сверхнизкий режим ожидания и функции автономного питания.
Интегральная схема PN8015 обладает полным набором интеллектуальных функций защиты, включая защиту от перегрузки, пониженного напряжения и перегрева. Кроме того, технология низкочастотной модуляции PN8015 способствует улучшению характеристик электромагнитных помех. <<

MOSFET-транзистор с лавинной мощностью 800 В. Данный компонент используется для создания компактных неизолированных импульсных источников питания малой мощности с периферийными компонентами.
Выходное напряжение регулируется с помощью резистора. PN8015 оснащён встроенным модулем высоковольтного запуска 800 В и автономного питания, что обеспечивает быстрый запуск системы, сверхнизкий режим ожидания и функции автономного питания.
Интегральная схема PN8015 обладает полным набором интеллектуальных функций защиты, включая защиту от перегрузки, пониженного напряжения и перегрева. Кроме того, технология низкочастотной модуляции PN8015 способствует улучшению характеристик электромагнитных помех. <<