Микросхемы импортные (общий)

... 37В, 2 %, корпус SOT-23-3 Микросхемы питания Тип Прецизионный регулируемый источник опорного напряжения серии LM431 Входное напряжение cерия VREF - 37 (max) В Выходное напряжение 2,49537 2% В Выходной ток через шунт - 100 мА (max) Характеристика температурный коэффициент - 97 ppm/ C Диапазон рабочих температур -40+85 С Нестабильность выходной нагрузки - 6 мВ Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOT-23 Упаковка REEL, 3000 шт. MSL(Уровень чувствительности к влажности) 1 Вес брутто 0.06 Транспортная упаковка: размер/кол-во 59*39*41/3000 <<

MOSFET-транзистор с лавинным пробоем, рассчитанный на напряжение 800 В. Данный компонент разработан специально для использования в неизолированных импульсных источниках питания малой мощности. PN8055 обладает внутренней схемой запуска при высоком напряжении и комплексной системой интеллектуальной защиты, включая регулируемую защиту от перегрузки (OLP), защиту от пониженного напряжения (UVLO) и защиту от перегрева (OTP). Благодаря использованию частотно-импульсной модуляции, PN8055 обеспечивает отличные характеристики электромагнитных помех. <<

ток питания: 120 мкА (ТИП) при VCC = 5 В Вход и выход Rail-to-Rail Двухтактные выходы Диапазон питания: от +2,7 В до +5,5 В -40°C до +125°C Рабочая температура Микроупаковки: SOT23-5, SOT353(SC70-5) <<

разряда (ЭСР), с высоким уровнем защиты в соответствии со спецификациями модели человеческого тела (HBM, +20 кВ), разрядом в воздушном зазоре и контактным разрядом, скорость передачи данных может достигать 10 Мбит/с. Дифференциальные выходы драйвера и дифференциальные входы приемника соединены внутри, образуя шинный порт, пригодный для полудуплексной связи.
Защита шинного контакта: 20 кВ Защита HBM 12 кВ IEC61000-4-2 Контактный разряд +4 кВ IEC61000-4-4 Быстрый переходный импульс До 256 узлов на шине Скорость передачи данных: от 300 бит/с до 10 Мбит/с(@ 5 В) Диапазон питания: 2,5-6,0 В Выход с тремя состояниями Диапазон питания: 4,5-6,0 В <<