Микросхемы

резисторах в широком синфазном диапазоне от –4 В до 110 В независимо от напряжения питания благодаря встроенному компаратору. Высокая точность измерения силы тока достигается за счет низкого напряжения смещения (максимум 20 мкВ), малой погрешности усиления (максимум 0,15 %) и высокого коэффициента ослабления синфазного сигнала (160 дБ, типовое значение). Усилитель имеет широкую полосу пропускания сигнала 1,3 МГц, что позволяет использовать его для измерения постоянного тока высокого напряжения и в высокоскоростных системах, например для быстрой защиты от перегрузки по току. <<

кБ SRAM, 51 I/O, корпус LQFP-64 Контроллеры Тип Микроконтроллер 32 бит серии GD32F105 ARM Cortex-M3 Интерфейс USART, I2C, SPI, CAN, I2S Память программная (Flash) - 256 кБ, ОЗУ (SRAM) - 96 кБ Ядро RISK ARM Cortex-M3 Диапазон рабочих температур, C -40+85 Напряжение питания, В 2,63,6 (max) Частота, МГц 108 Вес брутто 1.70 Транспортная упаковка: размер/кол-во 54.3*40.5*36/960 Тип монтажа поверхностный (SMT) Корпус LQFP-64 Упаковка TRAY, 160 шт. MSL(Уровень чувствительности к влажности) 3 <<

низкому энергопотреблению (в том числе в режиме Bluetooth LE) этот чип идеально подходит для устройств с батарейным питанием.
В основе ESP32-S3 лежит двухъядерный микропроцессор Xtensa LX7 с архитектурой 32-разрядного процессора. Также в состав микросхемы входят ULP-сопроцессор, базовые модули Wi-Fi и Bluetooth LE, радиочастотный модуль и множество периферийных устройств. <<

кБ SRAM, 80 I/O, корпус LQFP-100 Контроллеры Тип Микроконтроллер 32 бит серии GD32F205 ARM Cortex-M3 Интерфейс USART, I2C, SPI, CAN, I2S, SDIO Память программная (Flash) - 512 кБ, ОЗУ (SRAM) - 128 кБ Ядро RISK ARM Cortex-M3 Диапазон рабочих температур, C -40+85 Напряжение питания, В 2,63,6 (max) Частота, МГц 120 Вес брутто 3.31 Транспортная упаковка: размер/кол-во 54.3*40.5*36/540 Тип монтажа поверхностный (SMT) Корпус LQFP-100 Упаковка TRAY, 90 шт. MSL(Уровень чувствительности к влажности) 3 <<

10 каналов, 2xЦАП 37 GPIO <<