Датчики

максимальный прямой ток: 100 мА, время отклика: 800 нс, рабочая температура: -40 °C до 85 °C, измеряемое датчиком расстояние: 2 ... 25 мм, <<

SMD лента на катушке
ширина апертуры — 0,3 мм, пиковая длина волны — 950 нм, максимальный прямой ток — 25 мА, максимальный ток коллектора — 20 мА, максимальное напряжение коллектор-эмиттер — 20 В, максимальное обратное напряжение — 5 В, максимальная рассеиваемая мощность — 75 мВт, рабочая температура — -40 ... +85 °C. <<

32 В,
максимальный ток коллектора: 50 мА,
прямой ток (If) (макс.): 50 мА,
тип выходного сигнала: фототранзистор,
рабочая температура: –40... +85 °C. <<

100 мА,
количество каналов: 2,
напряжение в прямом направлении: 1,25 В,
длина волны: 940 нм,
входной ток: 50 мА,
рассеиваемая мощность (макс.): 200 мВт,
рабочая температура: -40... +85 °C. <<

стабильное рабочее расстояние до поверхности: 15 мм,
длина волны ИК-светодиода: 950 нм,
максимальное обратное напряжение светодиода: 5 В,
максимальное прямое напряжение светодиода: 1,25 В,
максимальный обратный ток светодиода: 60 мА,
максимальная мощность рассеивания на светодиоде: 100 мВт,
максимальное напряжение коллектор-эмиттер транзистора: 70 В,
максимальное напряжение эмиттер-коллектор транзистора: 5 В,
максимальный ток коллектора: 100 мА. <<

фотодиодов, а также фильтром инфракрасного излучения. Устройство включает четыре интегрирующих АЦП для преобразования усиленного тока фотодиодов в 16-битные значения. Результаты сохраняются в регистрах данных с двойной буферизацией. Внутренние параметры и режим ожидания контролируются конечным автоматом. Передача данных осуществляется по шине I2C с частотой до 400 кГц. TCS3472 также имеет выход прерывания с активным низким уровнем, который активируется при превышении пороговых значений и может быть использован для логического сложения по ИЛИ. Пользователь может задать верхний и нижний пороги прерывания и фильтр для определения количества последовательных превышений.
Интерфейс: I?C, до 400 кбит/с, адрес 0x29.
Разрешение: 16 бит, 4 канала.
Динамический диапазон: 3 800 000:1.
Напряжение: 2,7–3,6 В.
Потребление: 2,5 мкА (режим сна), 65 мкА (режим ожидания, программируемый).
Температура: –40 °C…+85 °C.
Корпус: FN (SMD-6P), 2.0 х 2.4 х 0.65 мм. <<

щелевой,
прямой ток: 60 мА,
максимальный ток коллектора: 2 мА,
максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 70 В,
максимальный коэффициент передачи тока: 10%,
максимальная рассеиваемая мощность: 250 мВт,
максимальное обратное напряжение: 6 В,
длина волны: 950 нм,
диапазон рабочих температур: -55.... +85 °C,
типичное время спада: 8 мкс,
типичное время нарастания: 10 мкс,
ширина слота: 3,1 мм,
ширина апертуры: 0,5 мм. <<

метод измерения: Through-Beam,
конфигурация выхода: Фототранзистор,
максимальный прямой ток: 60 мА,
максимальный ток коллектора: 500 мкА,
напряжение пробоя коллектор-эмиттер: 70 В,
время отклика: 10 мкс,
рабочая температура: –55 ... 85 °C. <<

мм, длина волны: 950 нм, рабочая температура: –25 ... +85 °C, время отклика: 15 мкс. <<

20в,
выходной ток: 20мА,
напряжение в прямом направлении: 1,2 в,
входной ток: 15,0 мА,
пиковая длина волны: 950 нм,
рассеиваемая мощность: 0,075 вт,
время нарастания: 150 000 нс,
пробивное напряжение (коллектор-эмиттер): 20 в,
рабочая температура: –40 ... +85 °C, <<

20в,
выходной ток: 20мА,
напряжение в прямом направлении: 1,2 в,
входной ток: 15,0 мА,
пиковая длина волны: 950 нм,
рассеиваемая мощность: 0,075 вт,
время нарастания: 150 000 нс,
пробивное напряжение (коллектор-эмиттер): 20 в,
рабочая температура: –40 ... +85 °C, <<